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电子元器件详细资料 » IC[33706] » ZXMN10A08DN8TA
型号:ZXMN10A08DN8TA类别:FET - 阵列制造商:Diodes Inc
封装:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)描述:MOSFET N-CH 100V 1.6A 8-SOIC

详细参数

类别FET - 阵列
描述MOSFET N-CH 100V 1.6A 8-SOIC
系列-
制造商Diodes Inc
FET型2 个 N 沟道(双)
FET特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)100V
电流_连续漏极(Id)0a025000C1.6A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C250 毫欧 @ 3.2A,10V
Id时的Vgs(th)111最大2222V @ 250µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs7.7nC @ 10V
输入电容(Ciss)0a0Vds405pF @ 50V
功率_最大1.25W
安装类型表面贴装
封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装8-SO
包装剪切带 (CT)

供应商

现代芯城(深圳)科技有限公司董0755-82542579
深圳市芯脉实业有限公司骆0755-84507209
中科航芯(深圳)科技有限公司李18927479189
深圳市耿芯泰电子科技有限公司方0755-83089867
深圳山琅电子科技有限公司刘红样086-755-83229865
上海金庆电子科技京城市场部陈小姐 付先生086-021-51872165/51872561
北京元坤国际科技有限公司何小姐086-010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
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